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| 刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性 | |
| 作者姓名： | 颜学进 张权生 石志文 杜云 祝亚芹 罗丽萍 朱家廉 吴荣汉 王启明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室!北京(颜学进，石志文，祝亚芹，朱家廉)，100083(张权生，杜云，罗丽萍，吴荣汉)，中国科学院 (王启明) |
| 摘 要： | 本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面的方法．用CH4：H2：Ar2的混合物作干法刻蚀的反应气体，用H2SO4：HCl：H2O2作湿法腐蚀的腐蚀剂，我们获得了质量较好的激光器的光学腔面．用一个刻蚀腔面与一个解理面组成激光器的F－P腔，我们获得了它的宽接触阈值电流和微分量子效率与用传统的解理腔面的激光器的宽接触阈值电流与微分量子效率相当的激光器． |
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