| 超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应 |
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| 引用本文： | 杨林安,于春利,郝跃.超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应[J].半导体学报,2005,26(7):1390-1395. |
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| 作者姓名： | 杨林安 于春利 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 通过对采用0.18μm CMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现，短沟薄栅氧LDD nMOSFET（Lg=0.18μm，Tox=3.2nm）在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子（DAHC）应力下的器件寿命要短，这与通常认为的DAHC应力（最大衬底电流应力）下器件退化最严重的理论不一致．因此，这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型（LEM）的框架理论来解释．认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子，在Si-SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域，由Si-SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的．
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| 关 键 词： | LDD nMOSFET 热载流子退化 沟道热载流子应力 漏雪崩热载流子应力 幸运电子模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)07-1390-06 |
| 修稿时间： | 2004年10月13日 |
Nonlucky Electron Model Effect in Ultra-Deep Submicro LDD nMOSFETs |
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| Yang Linan,Yu Chunli,Hao Yue.Nonlucky Electron Model Effect in Ultra-Deep Submicro LDD nMOSFETs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(7):1390-1395. |
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| Authors: | Yang Linan Yu Chunli Hao Yue |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LDD nMOSFET hot carrier degradation channel hot carrier stress drain avalanche hot carrier stress lucky electron model |
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