| 微波介质陶瓷谐振器磁控溅射金属化 |
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| 引用本文： | 魏淑萍,王德苗,金浩.微波介质陶瓷谐振器磁控溅射金属化[J].材料科学与工程学报,2016(5):689-693. |
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| 作者姓名： | 魏淑萍 王德苗 金浩 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学信息与电子工程学院,浙江杭州,310027;2. 浙江大学信息与电子工程学院,浙江杭州310027;浙江大学昆山创新中心,江苏昆山215300;苏州求是真空电子有限公司,江苏昆山 215300 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61204124) |
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| 摘 要： | 微波介质陶瓷谐振器在无线通信基站中有广泛的应用,其品质因数(Q值)主要由材料的介质损耗和金属膜的电导损耗所决定的,传统丝印烧结的金属化膜损耗较大,已成为限制谐振器Q值的主要因素。本文采用直流磁控溅射对相对介电常数为45的微波介质陶瓷进行金属化处理,研究了不同的清洗工艺和复合膜系对介质谐振器性能的影响。实验结果表明,1表面精细打磨和等离子清洗工艺有利于提高膜层结合力,其中Cr/Cu/Ag复合膜系性能最佳,溅射金属化膜层结合力可达6.4MPa,优于丝印工艺的1.8MPa;250~100nm厚度的过渡层金属Cr对Q值几乎无影响,因此可用Cr层提高结合力,且不会牺牲器件Q值;3溅射后器件的Q值最大可达到2673,明显优于丝印烧结工艺的2268。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 介质谐振器 复合膜系 等离子清洗 Q值 |
Metallization of Microwave Dielectric Ceramic Resonators Using Magnetron Sputtering Technology |
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| WEI Shu-ping,WANG De-miao,JIN Hao.Metallization of Microwave Dielectric Ceramic Resonators Using Magnetron Sputtering Technology[J].Journal of Materials Science and Engineering,2016(5):689-693. |
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| Authors: | WEI Shu-ping WANG De-miao JIN Hao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | direct-current magnetron sputtering microwave dielectric resonators metallization films plasma cleaning Q value |
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