| Si(100)表面STM电子束光刻技术的研究 |
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| 引用本文： | 范细秋,徐龙,张鸿海.Si(100)表面STM电子束光刻技术的研究[J].制造技术与机床,1999(8):32-34. |
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| 作者姓名： | 范细秋 徐龙 张鸿海 |
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| 作者单位： | 南阳理工学院(范细秋)，华中理工大学(徐龙，张鸿海) |
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| 摘 要： | 论述了 Ｓ Ｔ Ｍ 电子束光刻技术的 机理与特点。利用 Ｈ Ｚ Ｎ Ａ Ｎ Ｏ—Ⅳ型 Ｓ Ｔ Ｍ 进 行了 Ｓｉ（ １００ ） 表 面光刻试验，详细探索了试验原理、方案和工艺步骤，并对试验结果进行了分析。在大气环境下获得了深度＜ １００ｎ ｍ 、宽度＜ ２５ ｎ ｍ 的刻蚀线
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| 关 键 词： | 扫描隧道显微镜(STM) 宽范围 光刻技术 |
Research on Electron Beam Lithography on Si(100) Surface with STM |
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| FAN Xi qiu,et al.Research on Electron Beam Lithography on Si(100) Surface with STM[J].Manufacturing Technology & Machine Tool,1999(8):32-34. |
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| Authors: | FAN Xi qiu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Scanning Tunneling Microscope(STM) Wide Range Lithography Technology |
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