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| 中间层掺杂对具有隧穿结构的非晶硅/微晶硅叠层电池的影响 | |
| 引用本文： | 靳果,孟阳.中间层掺杂对具有隧穿结构的非晶硅/微晶硅叠层电池的影响[J].固体电子学研究与进展,2020(1):71-78. |
| 作者姓名： | 靳果 孟阳 |
| 作者单位： | ;1.河南工业职业技术学院;2.西北大学;3.西安交通大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51275084);国家重点研发计划项目(2017YFA0701200);2019年南阳市科技计划项目(KJGG078)。 |
| 摘 要： | 为了提高非晶硅/微晶硅叠层电池的转换效率和稳定性,在隧穿结构中引入ZnO∶B中间层,研究了中间层掺杂情况对叠层电池短路电流密度、开路电压、填充因子、转换效率等性能的影响。实验结果表明:最佳的非晶硅/微晶硅叠层电池中间层为厚度较薄、掺杂浓度较高的ZnO∶B,有利于叠层电池整体性能的提高。最终,采用厚度为40 nm,B2H6流量为5 ml/min的ZnO∶B中间层,制备出了初始效率为12.2%、衰退率在8%以内的叠层电池。 |
| 关 键 词： | ZnO∶B 中间层 掺杂 非晶硅/微晶硅叠层电池 |
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