| 基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料 |
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| 引用本文： | 张东国,杨乾坤,李忠辉,彭大青,李传皓,罗伟科,董逊. 基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料[J]. 固体电子学研究与进展, 2020, 0(1): F0003-F0003 |
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| 作者姓名： | 张东国 杨乾坤 李忠辉 彭大青 李传皓 罗伟科 董逊 |
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| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
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| 摘 要： | 南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。
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| 关 键 词： | 外延材料 ALGAN/GAN 二维电子气 缓冲层 摇摆曲线 外延生长 半绝缘 迁移率 |
High Quality AlGaN/GaN Heterojunction Epitaxial Material Based on Domestic 100 mm SiC Substrate |
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| ZHANG Dongguo,YANG Qiankun,LI Zhonghui,PENG Daqing,LI Chuanhao,LUO Weike,DONG Xun. High Quality AlGaN/GaN Heterojunction Epitaxial Material Based on Domestic 100 mm SiC Substrate[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2020, 0(1): F0003-F0003 |
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| Authors: | ZHANG Dongguo YANG Qiankun LI Zhonghui PENG Daqing LI Chuanhao LUO Weike DONG Xun |
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| Affiliation: | (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN) |
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