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| 基于40 nm工艺的单比特超宽带ADC | |
| 作者单位： | ;1.中国科学院微电子研究所;2.中国科学院大学 |
| 摘 要： | 采用TSMC 40 nm工艺实现了一款宽带高速ADC。芯片采用时间交织的结构,单通道采用Flash结构,采样率为5 GS/s,8个子通道交织达到40 GS/s的采样率。测试结果表明,芯片的采样率可以达到38.4 GS/s,且在该采样率下,输入信号带宽可达18 GHz,灵敏度小于-20 dBm,可以满足单比特超宽带收发系统的需求。 |
| 关 键 词： | 模数转换器 时间交织 高采样率 大信号带宽 |
A Single Bit Ultra-wide Band ADC Based on 40 nm Process |
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| Keywords: | |