|
|||||
|
|
| 基于AlN HTCC基板的宽带T/R组件设计 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子技术研究所;2.南京电子器件研究所 |
| 摘 要： | 介绍了一种基于AlN HTCC基板MCM工艺的宽带(2～12 GHz)T/R组件的原理及设计方法,该T/R组件在一块AlN HTCC微波多层基板上通过焊接、胶接等工艺安装了电阻、电容、ASIC、MMIC等器件,通过对电路布局设计、HTCC性能分析、关键互联电路仿真,得到的T/R组件的主要性能为:在10 GHz工作带宽内发射功率大于8 W,接收增益大于25 dB,噪声系数小于4 dB,重量小于40 g。 |
| 关 键 词： | 相控阵雷达 T/R组件 高温共烧陶瓷 |
Design of a Wideband T/R Module Based on AlN HTCC Substrate |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |