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p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究
引用本文:赵学平,张铭,董国波,董培明,严辉.p型宽带隙半导体CuAl_(1-x)Fe_xO_2的光电性能研究[J].稀有金属材料与工程,2009,38(Z1).
作者姓名:赵学平  张铭  董国波  董培明  严辉
作者单位:北京工业大学,北京,100124
摘    要:采用固相反应合成了CuAl1-xFeO2单相多晶材料,系统报道了该系列样品的X射线衍射(XRD)、紫外吸收光谱以及电学性能的测量.结果表明,Fe3+取代CuAlO2中的Al3+,不改变材料的晶体结构.随着掺杂量的增加,材料的光学带隙宽度逐渐减小,导电性能明显提高.当x=0.10时,样品的室温电导率达到3.38×10-1 S·cm-1;所有掺杂样品的电导率随温度变化曲线在近室温区,很好地符合Arrhenius关系,其热激活能为20~32 meV;Hall系数均为正值,表明所有样品都为P型半导体.

关 键 词:P型  带隙  铜铁矿  Fe掺杂CuAlO2

Research on Optical and Conductivity Properties of p-type Conducting CuAl_(1-x)Fe_xO_2 with Wide Band Gap
Zhao Xueping,Zhang Ming,Dong Guobo,Dong Peiming,Yan Hui.Research on Optical and Conductivity Properties of p-type Conducting CuAl_(1-x)Fe_xO_2 with Wide Band Gap[J].Rare Metal Materials and Engineering,2009,38(Z1).
Authors:Zhao Xueping  Zhang Ming  Dong Guobo  Dong Peiming  Yan Hui
Affiliation:Zhao Xueping,Zhang Ming,Dong Guobo,Dong Peiming,Yan Hui (Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)
Abstract:
Keywords:p-type  band gap  delafossite  Fe-doped CuAlO2  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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