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| 应变Si1—xGex层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算 | |
| 引用本文： | 张万荣,曾峥.应变Si1—xGex层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算[J].固体电子学研究与进展,1996,16(4):314-318. |
| 作者姓名： | 张万荣 曾峥 |
| 摘 要： | 计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流子浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价 |
| 关 键 词： | 硅锗合金 应变 有效态密度 本征载流子浓度 |
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