| 射频磁控室温溅射(Pb,La)TiO3薄膜退火前后的原子力显微镜分析 |
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| 引用本文： | 朱基亮,朱建国,申林. 射频磁控室温溅射(Pb,La)TiO3薄膜退火前后的原子力显微镜分析[J]. 功能材料, 2000, 31(6): 617-618 |
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| 作者姓名： | 朱基亮 朱建国 申林 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,四川成都 |
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| 摘 要： | 采用射频磁拉溅射技术在室温溅射（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ３（ＰＬＴ）薄膜，在６００℃下退火２ｈ，通过对ＸＲＤ谱图和ＡＦＭ照片分析，发现薄膜结晶良好，已形成均匀、连续、致密、表面平滑的完全钙钛矿结构的ＰＬＴ铁电薄膜，退火对薄膜表面的粗糙度影响不大，薄膜的表面粗糙度主要由淀积过程决定。
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| 关 键 词： | 射频磁控浅射 原子显微镜 PLT 铁电薄膜 退火 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)06-0617-02 |
| 修稿时间： | 1999-12-17 |
AFM Analysis of (Pb,La)TiO_3 Film Prepared by RF Magnet ron Sputtering at Room Temperature |
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| ZHU Jiliang,ZHU Jianguo,SHEN Lin,PAN Yu,XIAO,Dingquan. AFM Analysis of (Pb,La)TiO_3 Film Prepared by RF Magnet ron Sputtering at Room Temperature[J]. Journal of Functional Materials, 2000, 31(6): 617-618 |
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| Authors: | ZHU Jiliang ZHU Jianguo SHEN Lin PAN Yu XIAO Dingquan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF magnetron sputtering (Pb La)TiO_3 XRD X |
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