| 高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件 |
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| 引用本文： | 张立臣,汪韬,尹飞,杨瑾,胡雅楠.高响应度GaAs-MSM光电自混频面阵器件[J].激光与红外,2011,41(8):925-928. |
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| 作者姓名： | 张立臣 汪韬 尹飞 杨瑾 胡雅楠 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安710119;中国科学院研究生院,北京100039
2. 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,陕西西安,710119 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（No.60707018）;西部之光（No.2005ZD01）资助 |
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| 摘 要： | 采用LP-MOCVD方法生长并制作了GaAs基底肖特基势垒的MSM光电自混频器件.器件为面阵式结构,象元数目为32×32.对器件的光电参数进行测试分析,器件的响应度在偏压为3V时,达到8.25 A/W,暗电流小于18 nA,对应的光电流密度为59.1 μA/cm2,单点饱和输入光功率为1μW.测试瞬态响应,器件响应峰值...
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| 关 键 词： | 光电集成 光电自混频器 金属有机气象外延 GaAs-MSM |
Facture of high responsivity GaAs-MSM optoelectronic self-mixing array |
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| ZHANG Li-chen,WANG Tao,YIN Fei,YANG Jin,HU Ya-nan.Facture of high responsivity GaAs-MSM optoelectronic self-mixing array[J].Laser & Infrared,2011,41(8):925-928. |
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| Authors: | ZHANG Li-chen WANG Tao YIN Fei YANG Jin HU Ya-nan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | OEIC optoelectronic self-mixer MOCVD GaAs-MSM |
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