| 一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路 |
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| 引用本文： | 安涛,孔荆钟,高勇,张新. 一种高抗辐射的SOI电脉冲时间间隔测定电路[J]. 固体电子学研究与进展, 2003, 23(3): 292-295 |
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| 作者姓名： | 安涛 孔荆钟 高勇 张新 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学电子工程系,西安,710048
2. 华东光电集成器件研究所,蚌埠,233042 |
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| 摘 要： | 研制出一种高抗辐射的 SOICMOS电脉冲时间间隔测定器集成电路。在阐述其工作原理的基础上 ,进行了抗辐射设计与版图设计。通过实验分析找到了向 SOI材料的 Si O2 埋层注入 F+ 离子的优化注入条件 ,有效地抑制 SOI CMOS器件的阈值电压的漂移 ,提高了电路的抗辐射性能。采用注入 F+离子 SOICMOS工艺投片后测试结果表明 :该电路与同类体硅电路相比 ,具有高速、低功耗、测量精度高以及优良的抗辐射性能
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅技术 抗辐射 版图设计 |
| 文章编号： | 1000-3819(2003)03-292-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-21 |
A SOI Electric Pulse Measure Circuit of Time Interval with Good Anti-radiation |
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| AN Tao KONG Jingzhong GAO Yong ZHANG Xin. A SOI Electric Pulse Measure Circuit of Time Interval with Good Anti-radiation[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2003, 23(3): 292-295 |
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| Authors: | AN Tao KONG Jingzhong GAO Yong ZHANG Xin |
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| Affiliation: | AN Tao 1 KONG Jingzhong 1 GAO Yong 1 ZHANG Xin 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon on insulator technology anti radiatio n layout design |
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