| Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶 |
| |
| 引用本文： | 段鹏,屈新萍,刘萍,徐展宏,茹国平,李炳宗. Ni诱导非晶SiGe薄膜结晶[J]. 半导体学报, 2004, 25(11): 1453-1457 |
| |
| 作者姓名： | 段鹏 屈新萍 刘萍 徐展宏 茹国平 李炳宗 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室 上海200433(段鹏，屈新萍，刘萍，徐展宏，茹国平)，复旦大学微电子学系ASIC与系统国家重点实验室 上海200433(李炳宗) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 复旦大学校科研和教改项目 , 教育部留学回国人员科研启动基金 |
| |
| 摘 要： | 采用Ni诱导结晶的方法在氧化硅衬底上制备多晶SiGe薄膜.通过X射线衍射(XRD)、俄歇电子深度分布谱(AES)等测试方法对获得的多晶SiGe薄膜特性进行了表征,并对退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶的影响进行了研究.研究表明Ni的参与可以显著降低非晶SiGe薄膜的结晶时间以及结晶温度;退火气氛中氧的存在对非晶SiGe结晶有明显阻碍作用;采用先在高纯N2(99.99%)气氛下快速热退火(RTA)预处理,再在普通退火炉中长时间退火的方法可以明显改善非晶SiGe薄膜的结晶情况
|
| 关 键 词： | 金属诱导结晶 非晶SiGe薄膜 固相结晶 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)11-1453-05 |
| 修稿时间： | 2003-10-20 |
Ni Induced Crystallization of Amorphous SiGe |
| |
| Duan Peng,Qu Xinping,Liu Ping,Xu Zhanhong,Ru Guoping and Li Bingzong. Ni Induced Crystallization of Amorphous SiGe[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(11): 1453-1457 |
| |
| Authors: | Duan Peng Qu Xinping Liu Ping Xu Zhanhong Ru Guoping Li Bingzong |
| |
| Abstract: | Polycrystalline SiGe layers are obtained by Ni induced crystallization of the amorphous ones.The films are characterized by XRD and Auger electron depth profile.The influences of the process parameters (such as annealing duration,thickness of Ni layer) and the existence of O in the annealing ambient on Ni induced crystallization of a-SiGe are discussed.The experimental results show that the Ni inducing crystallization can significantly reduce the temperature of crystallization and time of amorphous SiGe.The existence of O in the annealing ambient thwarts the crystallization of the films.By annealing the samples using RTA first,then by normal furnace annealing,the crystallinity of the samples is improved. |
| |
| Keywords: | metal induced crystallization amorphous SiGe thin flim solid phase crystallization |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
