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| 大容量DRAM发展动态 | |
| 引用本文： | 孙再吉.大容量DRAM发展动态[J].世界电子元器件,1997(11):28-29. |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | 随着Gb级DRAM的问世,使存储器的发展又上了一个新的台阶。本文主要介绍国外最新报道的256Mb、1Gb和4Gb的开发研究信息。△256Mb DRAM 韩国三星电子采用0.25μm CMOS工艺制作了26800个单元的256Mb DRAM。其驱动电压为2.2V～2.4V,存取时间为40ns,该芯片采用600密耳T型引线管壳封装。 韩国现代电子已投资了15亿美元在京矶道建设256 |
| 关 键 词： | DRAM 存储器 Gb级 |
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