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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
IGBT的研究与进展
作者姓名:
陈利
作者单位:
福建晋润半导体技术有限公司
摘 要:
本文介绍了现代硅基核心功率半导体器件IGBT的历史演变和新型器件结构的研究进展,阐述了该器件在轨道交通、直流输电和新能源汽车等领域的研发进展和应用现状;最后讨论了IGBT技术面临的技术挑战和发展趋势。
关 键 词:
功率半导体器件
硅材料
绝缘栅双极晶体管
碳化硅
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