首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

CoFe/Cu多层膜巨磁阻效应的研究
引用本文:郑金平,冯洁. CoFe/Cu多层膜巨磁阻效应的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2007, 27(2): 123-126
作者姓名:郑金平  冯洁
作者单位:1. 上海交通大学,微纳科学技术研究院,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海,200030
2. 上海交通大学,微纳科学技术研究院,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海,200030
摘    要:采用直流磁控溅射制备了多层膜Ta/缓冲层/[Co95Fe5/Cu]×12/Co95Fe5/Ta。实验发现,多层膜的磁阻性能受到缓冲层材料、各子层厚度以及退火处理的影响。采用优化的多层膜结构:Ni65Fe15Co20缓冲层厚8 nm、CoFe层厚1.55 nm、Cu层厚2.4nm,沉积态薄膜GMR值达到7.6%;而在外加磁场79.6×103A/m下,250℃保温2 h退火处理后,多层膜的GMR值进一步提高到11.9%,磁滞从18.7×102A/m降低到796 A/m。

关 键 词:多层膜  巨磁阻  缓冲层  退火
文章编号:1672-7126(2007)02-0123-04
修稿时间:2006-06-22

Study of Giant Magnetoresistance in CoFe/Cu Multilayer
Zheng Jinping,Feng Jie. Study of Giant Magnetoresistance in CoFe/Cu Multilayer[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2007, 27(2): 123-126
Authors:Zheng Jinping  Feng Jie
Affiliation:National Key lnboratory of Nano/ Micro Fabrication Technology, Key laboratory for thin film and microfabrication of Ministry of Education, Institute of Micro and Nano science and technology , Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030
Abstract:
Keywords:Multilayers  GMR  Buffer layer  Annealing
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号