|
|||||
|
|
| GSMBE原位生长SiGeHBT材料 | |
| 引用本文： | 黄大定,刘金平,李建平,林燕霞,刘学锋,李灵霄,孙殿照,孔梅影,林兰英.GSMBE原位生长SiGeHBT材料[J].半导体学报,1999,20(12):1049-1053. |
| 作者姓名： | 黄大定 刘金平 李建平 林燕霞 刘学锋 李灵霄 孙殿照 孔梅影 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083，中 |
| 摘 要： | 采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅＨＢＴ结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ型掺杂浓度２e１９～１e２０ｃｍ－３，厚度１００～２００ｎｍ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５e１８ｃｍ－３，厚度４０～１００ｎｍ；集电极浓度～１e１６ｃｍ－３．达到了生长ＳｉＧｅＨＢＴ材料的条件． |
| 关 键 词： | 双极性晶体管 GSMBE SiGe 材料 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |