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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GSMBE原位生长SiGeHBT材料
作者姓名:
黄大定
刘金平
李建平
林燕霞
刘学锋
李灵霄
孙殿照
孔梅影
林兰英
作者单位:
中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083,中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083,中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083,中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083,中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083,中国科学院半导体研究所材料中心!北京100083,中
摘 要:
采用GSMBE工艺生长的单晶SiGeHBT结构材料,经X射线双晶衍射,透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明:该材料晶体完整性好,无应力弛豫,界面平整陡峭.发射区N型掺杂浓度2e19~1e20cm-3,厚度100~200nm;基区SiGe合金Ge组分0.05~0.20,P型掺杂浓度5e18cm-3,厚度40~100nm;集电极浓度~1e16cm-3.达到了生长SiGeHBT材料的条件.
关 键 词:
双极性晶体管
GSMBE
SiGe
材料
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