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PTCR过流保护器的电流冲击失效特性
引用本文:姜胜林 龚树萍. PTCR过流保护器的电流冲击失效特性[J]. 电子元件与材料, 1998, 17(2): 4-6
作者姓名:姜胜林 龚树萍
作者单位:华中理工大学固体电子学系
基金项目:国家“863”高科技资助
摘    要:研究了PTCR过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理,指出PTCR过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂,元件的冲击特性与常温电阻值、样品尺寸以及电流冲击次数有很大关系。通过运行和推理,推荐最佳的TC=90℃,R25=18Ω±20%,芯片尺寸为6.8mm×1.6mm,烧成条件为1320~1340℃,保温1~2h。对产品设计和元件的筛选有指导意义。

关 键 词:PTCR过流保护器  失效模式  冲击特性

Study on current shock failure properties of PTC over current limiter
Jiang Shenglin,Gong Shuping,Zhou Dongxiang,Zeng Shaomin. Study on current shock failure properties of PTC over current limiter[J]. Electronic Components & Materials, 1998, 17(2): 4-6
Authors:Jiang Shenglin  Gong Shuping  Zhou Dongxiang  Zeng Shaomin
Abstract:The failure properties of PTC over current limiter at current shock are studied. The main failure model is thermal breakdown at thermal shock. The effect of resistance at room temperature, sample dimensions and cycles of current shock on the current shock failure properties is investigated. The results are useful for product design and component selection.(4 refs )
Keywords:PTC over current limiter   failure model   current shock properties
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