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CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究
引用本文:穆辉,张晓兵,雷威,娄朝刚,朱春晖. CVD法和丝印法制作的碳纳米管场致发射冷阴极的研究[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(Z1): 83-85
作者姓名:穆辉  张晓兵  雷威  娄朝刚  朱春晖
作者单位:东南大学电子工程系,南京,210096
基金项目:国家973计划(No.2003CB314706和No.2003CB314702);教育部博士点基金(No.20030286003)和新世纪人才计划(NCET-04-0473)
摘    要:本文研究了丝网印刷法和CVD生长法制备的碳纳米管冷阴极的场致发射性能.结果表明,在没有模板的情况下,通过CVD生长的碳纳米管的直径与催化剂颗粒的直径有关,随催化剂颗粒的直径变化而变化,生长方向是随机的,但大电流发射稳定性较差;用丝网印刷方法制作的碳纳米管致发射冷阴极,场发射电流发射较稳定.

关 键 词:碳纳米管  丝网印刷  场发射  CVD
文章编号:1672-7126(2005)增-083-03
修稿时间:2004-12-01

Field Emission of Carbon Nanotube Arrays Prepared by Chemical Vapor Deposition and Screen Printing
Mu Hui,Zhang Xiaobing,Lei Wei,Lou Chaogang,Zhu Chunhui. Field Emission of Carbon Nanotube Arrays Prepared by Chemical Vapor Deposition and Screen Printing[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(Z1): 83-85
Authors:Mu Hui  Zhang Xiaobing  Lei Wei  Lou Chaogang  Zhu Chunhui
Abstract:
Keywords:CVD
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