考虑溅射和碰撞损失的j×B离子引出收集 |
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引用本文: | 朱红莲,王德武.考虑溅射和碰撞损失的j×B离子引出收集[J].原子能科学技术,2003,37(5):467-470. |
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作者姓名: | 朱红莲 王德武 |
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作者单位: | 清华大学,工程物理系,北京,100084 |
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摘 要: | 研究了j×B法离子引出收集过程。影响引出过程收集率的两个主要因素是碰撞和溅射。对引出过程中收集板的收集情况进行了数值模拟,给出了收集板电参数对引出时间、碰撞与溅射的影响。收集板电参数对引出时间和收集率有很大影响,电流js及其变化率的增加对离子引出是有利的。总收集率随等离子体密度增大而减小。收集板间距对引出的影响较为复杂,增大极板间距,且限制准直孔径,引出效果得以改善。
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关 键 词: | 离子收集 j×B驱动法 碰撞 溅射 收集率 |
文章编号: | 1000-6931(2003)05-0467-04 |
修稿时间: | 2002年8月1日 |
Ion Collection Simulation by j×B Scheme With Collision and Sputtering |
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Abstract: | |
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