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B2O3和Al2O3共同掺杂ZnO压敏陶瓷的性能
引用本文:王昊,赵洪峰,康加爽,周远翔,谢清云. B2O3和Al2O3共同掺杂ZnO压敏陶瓷的性能[J]. 材料研究学报, 2021, 35(2): 110-114. DOI: 10.11901/1005.3093.2020.208
作者姓名:王昊  赵洪峰  康加爽  周远翔  谢清云
作者单位:1.新疆大学电气工程学院 电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室风光储分室 乌鲁木齐 830046;2.清华大学 电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室 北京 100084;3.西安西电避雷器有限公司 西安 710200
摘    要:研究了B2O3(B)和Al2O3(Al)共掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能和微观结构的影响。结果表明,共掺杂B和Al的ZnO压敏陶瓷,具有低泄漏电流、高非线性和低剩余电压等优良电性能。B和Al的掺杂率为3.0%(摩尔分数)和0.015%(摩尔分数)的ZnO压敏陶瓷,其最佳样品的电参数为:击穿电压E1 mA=475 V/mm;泄漏电流JL=0.16 μA/cm2;非线性系数α=106;剩余电压比K = 1.57。

关 键 词:无机非金属材料  ZnO压敏陶瓷  电学性能  微观结构  
收稿时间:2020-06-02

Properties of ZnO Varistor Ceramics Co-doped with B2O3 and Al2O3
WANG Hao,ZHAO Hongfeng,KANG Jiashuang,ZHOU Yuanxiang,XIE Qingyun. Properties of ZnO Varistor Ceramics Co-doped with B2O3 and Al2O3[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2021, 35(2): 110-114. DOI: 10.11901/1005.3093.2020.208
Authors:WANG Hao  ZHAO Hongfeng  KANG Jiashuang  ZHOU Yuanxiang  XIE Qingyun
Abstract:The effect of B2O3 (B) and Al2O3 (Al) co-doping on electrical properties and microstructure of ZnO varistor ceramics are investigated. ZnO varistors doped with B and Al have excellent electrical properties such as low leakage current, high nonlinearity and low residual voltage. The electrical parameters of the ZnO varistor ceramics doped with 3.0% B and 0.015% Al(mole fraction)are as follows: breakdown voltage E1 mA=475 V/mm; leakage current JL=0.16 μA/cm2; nonlinear coefficient α=106; residual voltage ratio K=1.57.
Keywords:inorganic non-metallic materials  ZnO varistor ceramics  electrical properties  microstructure  
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