| Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响 |
| |
| 引用本文： | 张书敬, 杨瑞霞, 崔玉兴, 杨克武,.Ni含量对PHEMT欧姆接触的影响[J].电子器件,2007,30(5):1539-1541. |
| |
| 作者姓名： | 张书敬 杨瑞霞 崔玉兴 杨克武 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| |
| 基金项目： | 哈尔滨工程大学基础研究基金项目资助(002080260727) |
| |
| 摘 要： | 研究了AuGeNi/Au金属系统中Ni含量对n-GaAs欧姆接触的影响,用传输线法对接触电阻进行了测试,在原子力显微镜观测了合金表面形貌,测试了高温存储后接触电阻的变化.结果表明:Ni含量占AuGe的8%wt左右,Ge与Ni的厚度比在1.6:1左右时,可以得到相对比较好的欧姆接触.
|
| 关 键 词： | AuGeNi/Au 砷化镓 欧姆接触 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)05-1539-03 |
| 修稿时间： | 2006年10月25 |
Effect of Ni Content to PHEMT Ohmic Contact |
| |
| ZHANG Shu-Jing,YANG Rui-xi,CUI Yu-xing,YANG Ke-wu.Effect of Ni Content to PHEMT Ohmic Contact[J].Journal of Electron Devices,2007,30(5):1539-1541. |
| |
| Authors: | ZHANG Shu-Jing YANG Rui-xi CUI Yu-xing YANG Ke-wu |
| |
| Affiliation: | ZHANG Shu-Jing1,2,YANG Rui-xia1,CUI Yu-xing2,YANG Ke-wu21.School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China,2.The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China |
| |
| Abstract: | The influences of the Ni content for AuGeNi/Au metal system to n-GaAs ohmic contact were investigated.The alloy surface was observed and the changes of contact resistance after high temperature storage were measured by transmission line model technique.The better ohmic contact is obtained with weight a rating Ni to AuGe about 8% and the thickness ratio of Ge to Ni about 1.6:1. |
| |
| Keywords: | AuGeNi/Au GaAs ohmic contact |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载全文 |
|
