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InSb混合红外焦平面工艺研究
引用本文:张星灿,田种运,雷胜琼.InSb混合红外焦平面工艺研究[J].红外技术,1991(6).
作者姓名:张星灿  田种运  雷胜琼
作者单位:昆明物理研究所 昆明
摘    要:InSb 光伏线列器件是以 n 型 InSb 为衬底,扩散 Cd 形成 p-n 结,经光刻、蒸电极、焊接等工艺制成。SiCCD 为表面 p 沟器件,可按延时积分(TDI)和多路传输(MUX)两种方式工作。在研制1×12、2×12、1×64、2×64元 InSb 光伏线列器件并与 SiCCD 进行互连的基础上,从开发64×64元 InSb 混合红外焦平面着眼,我们进行了64×16元 InSb 光伏面阵的研制,并在 InSb 面阵和 Si 上电镀 In 柱,用我们研制的 HDD-1型红外对准倒焊机进行了对焊,开展了背面辐照 InSb 混合红外焦平面的工艺研究。本文介绍了工艺实验状况,并对工艺实验中有关问题进行了讨论。

关 键 词:InSb  光伏列阵  混合红外

Technology Study on InSb Hybrid Infrared Focal Plane Array (FPA)
Zhang Xingcan Tian Zhongyun Lei Shengqiong.Technology Study on InSb Hybrid Infrared Focal Plane Array (FPA)[J].Infrared Technology,1991(6).
Authors:Zhang Xingcan Tian Zhongyun Lei Shengqiong
Abstract:
Keywords:InSb  Photovoltaic array  Hybrid infrared Focal Plane Array
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