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| 氯化物SFT法制备InGaAsP处延层 | |
| 引用本文： | 赵谢群.氯化物SFT法制备InGaAsP处延层[J].稀有金属,1993(3). |
| 作者姓名： | 赵谢群 |
| 摘 要： | 日本学者用氯化物单平台温度层(SFT)法成功地气相外延制成了 InGaAsP 薄膜。此法具有较高的组份控制能力和重复性。文章列出了 InGaAsP 外延层的基本参数,生长动力学、光学和电学性质参数。指出,In-GaAsP 外延生长同其它Ⅲ—Ⅴ族合金一样,缓慢的动力学过程控制着外延生长速度。另外还制成了一个 |
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