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高功率脉冲磁控溅射技术的发展与研究
引用本文:吴忠振,朱宗涛,巩春志,田修波,杨士勤,李希平.高功率脉冲磁控溅射技术的发展与研究[J].真空,2009,46(3).
作者姓名:吴忠振  朱宗涛  巩春志  田修波  杨士勤  李希平
作者单位:哈尔滨工业大学材料学院现代焊接生产技术国家重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150001
摘    要:高功率脉冲磁控溅射技术(HPPMS)作为一种溅射粒子离化率高、可以沉积致密、高性能薄膜的新技术已经在国外广泛研究,但在国内尚未见研究报道.本文介绍了近十年来HPPMS技术在电源、脉冲形式、放电行为和薄膜沉积等方面的研究进展.在HPPMS过程中,粒子随脉冲开关通过电子冲击和电荷交换电离,并按照双极扩散理论向基体附近传输,离子能量分布随工作气压的不同而呈现不同的分布特征.这些放电特征有利于获得更宽的工艺范围和优异的膜层性能,最后介绍了我们实验室在HPPMS方面的研究工作.

关 键 词:高功率脉冲磁控溅射  离化率  离子能量分布函数  薄膜性能

Development of high-power pulse magnetron sputtering technology
WU Zhong-zhen,ZHU Zhong-tao,GONG Chun-zhi,TIAN Xiu-bo,YANG Shi-qin,LI Xi-ping.Development of high-power pulse magnetron sputtering technology[J].Vacuum,2009,46(3).
Authors:WU Zhong-zhen  ZHU Zhong-tao  GONG Chun-zhi  TIAN Xiu-bo  YANG Shi-qin  LI Xi-ping
Abstract:
Keywords:
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