| 硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象 |
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| 引用本文： | 杨道虹,徐晨,董典红,张剑铭,阳启明,金文贤,沈光地.硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象[J].半导体学报,2005,26(1):67-71. |
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| 作者姓名： | 杨道虹 徐晨 董典红 张剑铭 阳启明 金文贤 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022;北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 摘 要： | 利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时，在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构．研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型，其分形维数值约为1.667．实验还发现，反应生成络合物的聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响．
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| 关 键 词： | 分形 扫描电镜 腐蚀停止 分形维数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0067-05 |
| 修稿时间： | 2003年12月1日 |
Fractal Phenomenon During Fabricating Ultrthin Silicon Membrane Using Etching-Stop |
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| Yang Daohong,Xu Chen,Dong Dianhong,Zhang Jianming,Yang Qiming,Jin Wenxian,and Shen Guangdi.Fractal Phenomenon During Fabricating Ultrthin Silicon Membrane Using Etching-Stop[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):67-71. |
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| Authors: | Yang Daohong Xu Chen Dong Dianhong Zhang Jianming Yang Qiming Jin Wenxian and Shen Guangdi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | fractal scan-electron-microscope etching-stop fractal dimension |
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