| 深亚微米CMOS有源图像传感器技术 |
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| 引用本文： | 裴志军,国澄明,姚素英,赵毅强. 深亚微米CMOS有源图像传感器技术[J]. 光电子技术, 2003, 23(4): 236-240 |
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| 作者姓名： | 裴志军 国澄明 姚素英 赵毅强 |
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| 作者单位： | 天津大学ASIC设计中心,天津,300072 |
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| 摘 要： | 在深亚微米CMOS技术，传统CMOS图像传感器像素结构如PD、PG等受到极大挑战，为了获得良好摄像质量，需要一些CMOS生产工艺的改变和像素结构的革新。
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| 关 键 词： | 深亚微米 CMOS 有源图像传感器 像素结构 |
| 文章编号： | 1005-488X(2003)04-0236-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-31 |
CMOS Active Pixel Image Sensors in Deep Sub-micrometer CMOS Technology |
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| PEI Zhi-jun,GUO Cheng-ming,YAO Su-ying,ZHAO Yi-qiang. CMOS Active Pixel Image Sensors in Deep Sub-micrometer CMOS Technology[J]. Optoelectronic Technology, 2003, 23(4): 236-240 |
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| Authors: | PEI Zhi-jun GUO Cheng-ming YAO Su-ying ZHAO Yi-qiang |
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| Abstract: | The conventional CMOS active pixels such as photo-gate pixel and pho to-diode pixel are challenged in deep sub-micrometer CMOS technology, so chang e s in process or innovation in pixel architecture are required to improve the cap tured image quality. |
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| Keywords: | CMOS image sensors active pixel deep sub-micrometer CMOS technology |
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