| 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究 |
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| 引用本文： | 赵丽伟,滕晓云,郝秋艳,朱军山,张帷,刘彩池. 金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究[J]. 液晶与显示, 2006, 21(1): 38-42 |
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| 作者姓名： | 赵丽伟 滕晓云 郝秋艳 朱军山 张帷 刘彩池 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,材料学院,信息功能材料研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划，河北省自然科学基金资助项目(No.E2005000042) |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在Si(111)衬底上外延生长不同厚度的GaN。外延层薄的GaN表面存在大量的V缺陷,并且V缺陷的两侧有相互平行的带状高坡;外延层厚的GaN表面没有V缺陷,表面平整且晶体质量高。位错处存在晶格畸变,杂质易于在此处聚集,达到一定浓度就会抑制晶体在此处生长而形成V缺陷。受位错附近应力场与气流的影响,V缺陷两侧出现带状高坡。生长时间延长,GaN表面的V缺陷就会被填满,带状高坡横向生长合并成为平整的表面。用m(KOH)∶m(H2O)=1∶10的KOH溶液腐蚀后,平整的表面出现六角腐蚀坑,密度与原生坑密度相近,认为是原生坑被填满的位置腐蚀后再次出现。
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| 关 键 词： | GaN V缺陷 湿法化学腐蚀 六角腐蚀坑 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)01-0038-05 |
| 修稿时间： | 2005-05-26 |
V Defects in GaN Films Grown by Metal-organic Chemical Vapor Deposition |
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| ZHAO LI-wei,TENG Xiao-yun,HAO Qiu-yan,ZHU Jun-shan,ZHANG Wei,LIU Cai-chi. V Defects in GaN Films Grown by Metal-organic Chemical Vapor Deposition[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2006, 21(1): 38-42 |
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| Authors: | ZHAO LI-wei TENG Xiao-yun HAO Qiu-yan ZHU Jun-shan ZHANG Wei LIU Cai-chi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN V defect wet etching hexagonal etch pit |
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