| 高温快速热处理对硅中热施主的影响 |
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| 引用本文： | 裴艳丽,杨德仁,马向阳,樊瑞新,阙端麟.高温快速热处理对硅中热施主的影响[J].半导体学报,2003,24(10):1035-1039. |
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| 作者姓名： | 裴艳丽 杨德仁 马向阳 樊瑞新 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027
(裴艳丽，杨德仁，马向阳，樊瑞新)，浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(阙端麟) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 32 0 10 ,90 2 0 70 2 4)~~ |
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| 摘 要： | 研究了不同气氛(N2 、O2 、Ar)下高温快速热处理(RTP)对热施主形成和消除特性的影响.研究发现无论在何种气氛下进行高温RTP ,对热施主的形成均无影响.扩展电阻的分析结果表明,热施主在硅片纵向的分布是均匀的.根据高温RTP后硅片的空位特征,认为点缺陷对热施主的形成特性无影响.同时研究了高温RTP预处理对热施主消除特性的影响,发现氧气和氩气高温RTP的样品其生成的热施主经过6 5 0℃退火即可消除,和普通的热施主消除特性相同.而N2 气氛下高温RTP的样品,6 5 0℃退火后仍有部分施主存在,经95 0℃退火才能彻底消除,这可能是由于RTP处理中发生氮的内扩散
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| 关 键 词： | 热施主 快速热处理 硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)10-1035-05 |
| 修稿时间： | 2002年11月16日 |
Effect of Rapid Thermal Processing at High Temperature on Generation and Annihilation of Thermal Donors |
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| Pei Yanli,Yang Deren,Ma Xiangyang,Fan Ruixin and Que Duanlin.Effect of Rapid Thermal Processing at High Temperature on Generation and Annihilation of Thermal Donors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(10):1035-1039. |
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| Authors: | Pei Yanli Yang Deren Ma Xiangyang Fan Ruixin and Que Duanlin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | TDs RTP Silicon |
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