首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
薄膜全耗尽SIMOX/SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究
作者姓名:
程玉华
魏丽琼
孙玉秀
阎桂珍
李映雪
武国英
王阳元
作者单位:
北京大学微电子学研究所
摘 要:
本文对SIMOX/SOI全耗尽N沟MOSFET中单晶体管Latch状态对器件性能的影响进行了实验研究.实验结果表明,短时间的Latch条件下的电应力冲击便可使全耗尽器件特性产生明显蜕变.蜕变原因主要是Latch期间大量热电子注入到背栅氧化层中形成了电子陷阱电荷(主要分布在漏端附近)所致.文章还对经过Latch应力后,全耗尽SOI器件在其他应力条件下的蜕变特性进行了分析.
关 键 词:
单晶体管
蜕变
MOSFET
SOI
SIMOX
薄膜
本文献已被
CNKI
维普
等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号