Ca膜/Si单晶和Ga膜/C膜的电镜观察

Ga是低熔点金属(熔点29.8℃),Ga在Si单晶上和C膜上的薄膜生长和退火过程文献上报道很少。本文借助SEM观察了不同蒸发条件下蒸发到Si单晶表面上的Ga膜形貌、以及100℃、300℃下的退火行为,借助TEM加热台观察了C膜上Ga膜的高温下动态行为。 Si单晶按半导体器件工艺抛光后,用HF:H_2O=1:1溶液泡30秒,经蒸馏水超声清洗三遍,吹干,用DMX—220型镀膜机在室温基片上蒸Ga,膜厚依靠投料多少和调节基片与蒸发源的距离来控制。退火在10~5托真空下进行。将NaCl在空气中解理,蒸约100AC膜,再蒸Ga膜。放到蒸馏水中待膜漂起后捞到钼网上,干燥后送入JEM—6C透射电镜(80kV)的加热台进行加热过程的动态观察。