多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用 |
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引用本文: | 汪开源,唐洁影.多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用[J].半导体光电,1994,15(4):340-344. |
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作者姓名: | 汪开源 唐洁影 |
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作者单位: | 东南大学电子工程系 |
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摘 要: | 采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅(PS),这种PS的微结构为纳米量级的,并具有光致发光特性,这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析,提出了这种PS发光的物理机制:纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用,从量子力学的薛定锷方程出发,用沟道势阱的近似模型,推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒,PS的有效带宽E=E_0+ΔE,对于Si(E_0=1.12ev)。完美地解释了目前在PS研究中的PL谱的篮移现象。
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关 键 词: | 多孔硅 纳米量子效应 表面态 光致发光谱 |
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