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| GaAs—AlxGa1—xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质 | |
| 引用本文： | 张福甲,虎志明.GaAs—AlxGa1—xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质[J].半导体光电,1994,15(3):232-236. |
| 作者姓名： | 张福甲 虎志明 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 |
| 摘 要： | 用变分法分别计算ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振子强度和交换能的影响。 |
| 关 键 词： | 量子阱 激子 纵向外电场 砷化镓 AlxGa1－xAs |
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