| PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 赵杰,胡礼中,王兆阳,李银丽,王志俊,张贺秋,赵宇.PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究[J].功能材料,2005,36(12):1879-1882. |
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| 作者姓名： | 赵杰 胡礼中 王兆阳 李银丽 王志俊 张贺秋 赵宇 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学,物理系,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60377005）,辽宁省科学技术基金资助项目（20022133） |
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| 摘 要： | 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 反射式高能电子衍射 X射线衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)12-1879-04 |
| 收稿时间： | 2005-04-13 |
| 修稿时间： | 2005-07-30 |
Research on ZnO/Si heteroepitaxy using pulsed laser deposition |
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| ZHAO Jie,HU Li-zhong,WANG Zhao-yang,LI Yin-li,WANG Zhi-jun,ZHANG He-qiu,ZHAO Yu.Research on ZnO/Si heteroepitaxy using pulsed laser deposition[J].Journal of Functional Materials,2005,36(12):1879-1882. |
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| Authors: | ZHAO Jie HU Li-zhong WANG Zhao-yang LI Yin-li WANG Zhi-jun ZHANG He-qiu ZHAO Yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO thin films reflection high energy electron diffraction X-ray diffraction photoluminescence |
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