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添加SeO2对电沉积纳米晶Cu的影响
引用本文:张含卓,江中浩,连建设.添加SeO2对电沉积纳米晶Cu的影响[J].材料保护,2007,40(8):46-47,70.
作者姓名:张含卓  江中浩  连建设
作者单位:吉林大学,汽车材料教育部重点实验室,吉林,长春,130025
摘    要:采用扫描电镜、X射线衍射等方法,研究了SeO2作为添加剂对直流电沉积纳米晶Cu表面形貌、微观结构和硬度的影响.结果表明,加入O.02 g/L SeO2可使沉积层表面平整致密,沉积Cu层的(111)晶面择优取向程度上升,晶粒尺寸减小至27.9 nm左右,显微硬度升至277 HV,约为粗晶铜硬度的6倍.

关 键 词:SeO2  电沉积  纳米晶    形貌  微观结构  显微硬度
文章编号:1001-1560(2007)08-0046-02
修稿时间:2007-01-30

Effects of SeO2 as an Additive on the Microstructure and Hardness of Electrodeposited Nanocrystalline Copper
ZHANG Han-zhuo,JIANG Zhong-hao,LIAN Jian-she.Effects of SeO2 as an Additive on the Microstructure and Hardness of Electrodeposited Nanocrystalline Copper[J].Journal of Materials Protection,2007,40(8):46-47,70.
Authors:ZHANG Han-zhuo  JIANG Zhong-hao  LIAN Jian-she
Abstract:
Keywords:
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