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| 金属栅将取代多晶硅栅 | |
| 作者姓名： | 荣莹 |
| 摘 要： | 为了克服器件尺寸缩小达到O．lum时，与多晶硅栅和薄栅氧化物有关的诸多问题，如栅耗尽、高阻栅、沟道区内的棚渗透、栅氧化隧道漏泄等等，也许很有必要采用金属栅和高k柳材料。1999年在旧金山召开的国际电子器件会议上，讨论了金属棚和可替换栅介质材料。如东芝公司微电子工程实验室具体介绍了开发生产金属栅的镶嵌工艺，以及工艺中所用到的高介质常数栅绝缘体（Ta刃。）。当浅沟槽隔离（ST）形成后，就进行源／漏注入，与用生长在虚拟棚氧化物上的SIP4／多晶硅薄膜制作的虚拟栅自对准。用LPCVD淀积预金属介质膜SIO。，并用CMP平面… |
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