InGaAsP多量子阱激光二极管及其组件的γ辐射效应

本工作进行多量子阱激光二极管及其组件的γ辐照实验研究，总剂量（以Si计）达5.5×10⁴Gy。结果表明：多量子阱激光二极管抗γ射线辐照能力很强，在实验总剂量下，裸管形式的多量子阱激光二极管的P-I特性、I-V特性及中心波长基本未变化。而多量子阱激光二极管组件因包含光学窗口、耦合透镜及光纤等附属光学元件，这些附属元件受γ辐照后光学性能下降，最终导致激光二极管组件输出光功率随总剂量增大而下降，停止辐照后，不需加偏置，在室温下即能发生退火，使得斜率效率逐渐回升。