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用类锑半导体量子点激光器成功地进行1.3μm波段的室温振荡
摘 要:
日本通信综合研究所研制成功了在光通信波段(1.3μm波段)工作的类锑半导体量子点激光二极管,并进行了室温振荡。据理论推测,半导体量子点激光器的功耗、温度特性优于以往的半导体激光器。由于使用廉价的GaAs衬底,半导体量子点激光器的制造成本明显降低。在以往的研究中,将InAs作为形成量子点的材料来使用,但因施加于InAs量子点的品格畸变而使材料特性发生改变,振荡波长约为1μm,故很难在光通信波段工作。
关 键 词:
半导体量子点激光器
波段
光通信
日本通信综合研究所
GaAs衬底
激光二极管
半导体激光器
振荡
室温
波长
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