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| 激光退火的一点注记 | |
| 作者姓名： | 梁培辉 陈奕升 曹思华 |
| 作者单位： | 中国科学院上海光机所，中国科学院上海光机所，上海科技大学 毕业生 |
| 摘 要： | 半导体激光退火、激光诱导表面沉积杂质的扩散、激光感应材料相变等应用研究中,都需要了解激光作用后材料的降温速率。使用毫微秒激光脉冲可以使多晶铝表面形成一薄薄的非晶层,用微微秒激光脉冲既能使硅单晶形成非晶,也能使非晶变成具有多层结构的晶态物质。简单理论指出,脉冲愈短,降温速率愈高,估算在微微秒的脉冲作用下降温速率会达10~(14)K/秒。但事实上我们用热熔化模型计算的结果是,可能达到的降温速率要比这个数 |
| 收稿时间： | 1982-09-17 |
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