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晶体二极管开关转换过程分析
引用本文:张武勤.晶体二极管开关转换过程分析[J].现代电子技术,2010,33(9):202-204.
作者姓名:张武勤
作者单位:郑州大学,电气工程学院,河南,郑州,450001;郑州师范高等专科学校,物理系,河南,郑州,450044
摘    要:晶体二极管结构决定了其开关特性,在脉冲信号作用下晶体二极管由导通到截止和由截止到导通的转换过程会产生时间上的延迟,为了清楚观察输出信号开关随输入信号开关时间上的延迟,在开关电路中需要输入一定幅值、周期的脉冲信号。通过实验可以清楚直观地观察到二极管开关转换过程时间的延迟,进一步加深对晶体二极管开关特性的理解和认识。

关 键 词:二极管  开关特性  延迟  脉冲

Crystal Diode Switch Switching Process Analysis
ZHANG Wu-qin.Crystal Diode Switch Switching Process Analysis[J].Modern Electronic Technique,2010,33(9):202-204.
Authors:ZHANG Wu-qin
Affiliation:ZHANG Wu-qin1,2 (1.College of Electrical Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450001,China,2.Department of Physics,Zhengzhou Teachers College,Zhengzhou 450044,China)
Abstract:The structure of the crystal diode determines its switching characteristics of the diode under the action of pulse signal from the conduction to the cut-off.By the deadline to turn in the conversion process the diode produces a time delay.In order to clearly observe the time delay of the output signal switch which viariates with the input signal switching time,a certain amplitude(the cyclic pulse signal) should be entered to the switching circuit.The time delay of the switch convertion precess can be visual...
Keywords:diode  switching characteristics  delay  pulse  
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