| As~＋注入Si_（1－x）Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究 |
| |
| 引用本文： | 邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,张靖巍.As~＋注入Si_（1－x）Ge_x中应变弛豫的双晶X射线衍射研究[J].半导体学报,1996,17(12):946-950. |
| |
| 作者姓名： | 邹吕凡 王占国 孙殿照 何沙 范缇文 张靖巍 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，中南民族学院电子工程系 |
| |
| 摘 要： | 作者首次用Ｘ射线双晶衍射技术对注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究，并与未注入ＡＳ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３合金的应变弛豫进行了比较．结果表明，退火后，注入ＡＳ_的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ外延层中的应变分布不同于未注入ＡＳ＋的应变分布．对于未注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，其Ｘ射线衍射峰的半宽度ＦＷＨＭ由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽．对于注入Ａｓ＋的Ｓｉ０．５７Ｇｅ０．４３样品，９５０℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤，使晶格得以恢复，且其退火后的
|
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
