| 平面结终端场位分析的数值方法综述 |
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| 引用本文： | 唐本奇 高玉民. 平面结终端场位分析的数值方法综述[J]. 微电子学与计算机, 1997, 14(3): 1-2,29 |
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| 作者姓名： | 唐本奇 高玉民 |
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| 作者单位： | 西安交通大学微电子工程系!西安，710049，西安交通大学微电子工程系!西安，710049，西安交通大学微电子工程系!西安，710049 |
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| 摘 要： | 本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较，总结了 其中的一般性规律，对终端结构优化设计的发展提出了自己的看法。
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| 关 键 词： | 平面结终端技术 器件物理方程 硅功率器件 |
Analysis of the Optimum Method of Highvoltage Planar Junction Termination''s Paramefers |
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| Tang Benqi, Gao Yumin and Luo Jinsheng. Analysis of the Optimum Method of Highvoltage Planar Junction Termination''s Paramefers[J]. Microelectronics & Computer, 1997, 14(3): 1-2,29 |
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| Authors: | Tang Benqi Gao Yumin Luo Jinsheng |
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| Abstract: | In this paper, we discussed the various kinds of optimum method of high-vo1tage planar junctioh's structure, and conc1uded its common principle, and set forth our opinions about the development of junction termination techniques |
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| Keywords: | Planar junction termination technique equations of device physics Avalanche ionization Numerical method |
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