LC4铝合金晶间腐蚀电化学机理

用多电极体系研究了ＬＣ４铝合金的晶间腐蚀机理。ＬＣ４铝合金的晶 间区域主要有η（ＭｇＺｎ２）、Ｓ９Ａｌ２ＣｕＭｇ）、α（Ａｌ）（近似纯铝）相及ＬＣ４固溶体。分别测量了上述几种化合物腐蚀电位及随时间的变化、阳极极化曲线以及由各化合组成的多电极体系的事电位及偶合电流随时间的变化曲线，试验结果表明，ＬＣ４Ｔ７３高强铝合金晶间腐蚀的原因是在腐蚀介质中各化合物形成无数个腐蚀微电池，形成沿昌界的阳极溶解通道。