| 一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法 |
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| 引用本文： | 李艳艳,顾祥,潘滨,朱少立,吴建伟.一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法[J].电子与封装,2015(5):36-40. |
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| 作者姓名： | 李艳艳 顾祥 潘滨 朱少立 吴建伟 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡,214035 |
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| 摘 要： | 从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先,提取0 krad(Si)时器件的模型参数,然后针对总剂量敏感参数,对100 krad(Si)总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化,并对得到的模型参数进行验证。结果表明,该方法所提取的模型参数准确有效,解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型(如BSIMSOI等)导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点,可用于评估辐射对SOI电路的影响。
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| 关 键 词： | SOI器件 SPICE模型参数 总剂量效应 |
A Rapid Extraction Method of SOI Device Model Parameters Based on the Total Ionizing Dose Radiation Effect |
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| LI Yanyan,GU Xiang,PAN Bin,ZHU Shaoli,WU Jianwei.A Rapid Extraction Method of SOI Device Model Parameters Based on the Total Ionizing Dose Radiation Effect[J].Electronics & Packaging,2015(5):36-40. |
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| Authors: | LI Yanyan GU Xiang PAN Bin ZHU Shaoli WU Jianwei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI device SPICE model parameter total ionizing dose radiation effect |
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