| 多晶电阻工艺监控与影响因素研究 |
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| 引用本文： | 张世权,马慧红,吴晓鸫.多晶电阻工艺监控与影响因素研究[J].电子与封装,2015(5). |
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| 作者姓名： | 张世权 马慧红 吴晓鸫 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡,214035 |
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| 摘 要： | 首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。
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| 关 键 词： | 多晶电阻 晶粒 淀积速率 四探针法测试电阻 |
Research of Polycrystalline Silicon Resistance Processing Monitor and Inlfuencing Factor |
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| ZHANG Shiquan,MA Huihong,WU Xiaodong.Research of Polycrystalline Silicon Resistance Processing Monitor and Inlfuencing Factor[J].Electronics & Packaging,2015(5). |
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| Authors: | ZHANG Shiquan MA Huihong WU Xiaodong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polycrystalline silicon resistance grain deposition velocity process control module |
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