|
|||||
|
|
| Si$443DN／SiSS27DN：MOSFET | |
| 摘 要： | Vishay推出采用PowerPAK1212-8封装的-40VSIS443DN和PowerPAK1212—8S封装的一30VSiSS27DN器件，扩充其TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET。VishaySiliconixSiS443DN在-10V和-4．5V栅极驱动下具有较低的导通电阻，是-40VP沟道GenIII器件；SiSS27DN是采用PowerPAK1212—8S封装的-30VMOSFET。 |
| 关 键 词： | 功率MOSFET 导通电阻 栅极驱动 P沟道 封装 器件 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |