应变速率对SiC拉伸行为影响的分子动力学模拟（英文）

采用分子动力学方法对Si C单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究。模拟了室温下不同应变速率对立方Si C单晶001]方向的拉伸行为的影响。当应变速率在0.01~10 ps~(–1)时,拉伸强度随应变速率的提高而增加。拉伸过程中Si C晶体发生非晶转变导致强度提高。当应变率低于0.01 ps~(–1)时,晶体在(111)面上发生破坏,强度趋于71.4 GPa。应变率大于10 ps~(–1)时,晶体强度达到243 GPa,并未发生非晶转变。