有机硅浆渣固废制备SiC的研究

先将有机硅浆渣固废高温热解,再将其与过量石油焦制成球团,通过碳热还原法制备了SiC粉体。研究了热解温度(1 000、1 200、1 400和1 500℃)对有机硅浆渣固废的影响,在此基础上,研究了热处理温度(1 550、1 650、1 750和1 850℃)和保温时间(15、30、45、60和75 min)对制备SiC的影响。结果表明：在热解温度达到1 500℃时,可以实现有机硅浆渣固废较大程度的热解,产物主要是SiC和方石英,说明该原料可以采用冶金法制备SiC。过量配碳冶炼时,最佳热处理温度为1 750℃,所得SiC的含量最高,继续升高温度会使SiC晶粒尺寸增大。在1 750℃增加保温时间有助于反应的进行,保温时间为60 min时,SiC的含量最高,继续增加保温时间时,颗粒状的SiC聚集长大形成块状SiC。